Команда Цзилиньского университета опубликовала последние результаты по легированию алмазов n-типом

Новости

Команда Цзилиньского университета опубликовала последние результаты по легированию алмазов n-типом

Команда Цзилиньского университета опубликовала последние результаты по легированию алмазов n-типом

Алмаз — не только самый твёрдый материал в природе, но и идеальный кандидат для создания мощных, высокотемпературных и высокочастотных электронных устройств нового поколения благодаря широкой запре...

Сунь Хайдин из Китайского университета науки и технологий: Создание эффективных систем искусственного зрения с использованием многофункциональных интегрированных оптоэлектронных синаптических устройств на основе нитрида галлия

Сунь Хайдин из Китайского университета науки и технологий: Создание эффективных систем искусственного зрения с использованием многофункциональных интегрированных оптоэлектронных синаптических устройств на основе нитрида галлия

В эпоху стремительного развития искусственного интеллекта технология распознавания действий человека становится важнейшим инструментом для систем видеонаблюдения, поиска видео, взаимодействия челов...

Институт микроэлектроники Китайской академии наук успешно разработал комплементарный монокристаллический кремниевый транзистор с вертикальным каналом (CVFET)

Институт микроэлектроники Китайской академии наук успешно разработал комплементарный монокристаллический кремниевый транзистор с вертикальным каналом (CVFET)

Согласно Международной дорожной карте для устройств и систем (IRDS2023), комплементарный полевой транзистор (CFET) — это следующее поколение транзисторной архитектуры в технологии интегральных схем...

Команда Лу Шулуна из Института нанонауки Сучжоу Китайской академии наук добилась успехов в создании монолитных интегральных устройств на основе GaN

Команда Лу Шулуна из Института нанонауки Сучжоу Китайской академии наук добилась успехов в создании монолитных интегральных устройств на основе GaN

Интеграция функций оптического зондирования и нейроморфных вычислений в устройствах на основе GaN является ключевым шагом к преодолению ограничений традиционных дискретных устройств. Это не только ...

Пекинский университет опубликовал на конференции IEEE ISPSD два важных технологических достижения в области широкозонных полупроводниковых силовых приборов.

Пекинский университет опубликовал на конференции IEEE ISPSD два важных технологических достижения в области широкозонных полупроводниковых силовых приборов.

Недавно в Кумамото, Япония, прошёл Международный симпозиум IEEE по силовым полупроводниковым приборам и ИС (ISPSD), ведущая конференция в области силовых полупроводниковых приборов. Для презентации...

Институт микроэлектроники Китайской академии наук добился нового прогресса в подавлении инфракрасного излучения от коллекторов EUV-литографии.

Институт микроэлектроники Китайской академии наук добился нового прогресса в подавлении инфракрасного излучения от коллекторов EUV-литографии.

Технология литографии в экстремальном ультрафиолетовом диапазоне (EUVL) является ключевым техническим направлением для развития технологий производства полупроводников. Современная система источник...

<<<123456>>> 2 / 17
Главная
Продукция
О Нас
Контакты

Пожалуйста, оставьте нам сообщение