Выбор идеального источника питания full-brick

Новости

Выбор идеального источника питания full-brick

Выбор идеального источника питания full-brick

содержание Что такое источник питания full-brick? Основные характеристики источников питания full-brick Типы источников питания full-brick Как выбрать правильный источник питания full-brick Заключ...

Высокоточный авиационный газовый датчик: обзор и характеристики

Высокоточный авиационный газовый датчик: обзор и характеристики

содержание Принципы работы авиационных газовых датчиков Ключевые характеристики высокоточных авиационных газовых датчиков Области применения высокоточных авиационных газовых датчиков Заключение ...

Команда Чжэцзянского университета выступила на IEEE ISPSD 2025 с многочисленными результатами исследований, связанных с карбидом кремния и оксидом галлия

Команда Чжэцзянского университета выступила на IEEE ISPSD 2025 с многочисленными результатами исследований, связанных с карбидом кремния и оксидом галлия

Лаборатория силовых электронных устройств (PEDL) Школы электротехники Чжэцзянского университета (ZUEE) добилась впечатляющих результатов на недавно завершившейся 37-й Международной конференции по с...

Первая 6-дюймовая тонкопленочная фотонная пластина на основе ниобата лития компании CHIPX сошла с производственной линии, а тонкопленочный высокопроизводительный модулятор на основе ниобата лития с полосой пропускания 110 ГГц поступил в массовое производство.

Первая 6-дюймовая тонкопленочная фотонная пластина на основе ниобата лития компании CHIPX сошла с производственной линии, а тонкопленочный высокопроизводительный модулятор на основе ниобата лития с полосой пропускания 110 ГГц поступил в массовое производство.

Менее чем через месяц после того, как Министерство промышленности и информационных технологий Китая включило его в список «первой партии ключевых пилотных платформ для выращивания», Научно-исследов...

Команда Пекинского университета успешно разработала GaN-устройство 650 В/10 А в режиме обогащения без отрицательного дрейфа порогового напряжения

Команда Пекинского университета успешно разработала GaN-устройство 650 В/10 А в режиме обогащения без отрицательного дрейфа порогового напряжения

Транзистор с высокой подвижностью электронов (HEMT) на основе нитрида галлия (GaN) стал сильным конкурентом для следующего поколения приложений силовых переключателей благодаря своим преимуществам,...

Искусственный интеллект Китая совершил огромный прорыв! Вышла первая партия интеллектуальных вычислительных машин архитектуры AGC

Искусственный интеллект Китая совершил огромный прорыв! Вышла первая партия интеллектуальных вычислительных машин архитектуры AGC

Большие модели предъявляют огромные требования к вычислительной мощности ИИ, а также создают беспрецедентные проблемы для традиционной архитектуры компьютеров, ориентированной на ЦП (ACC). Еще в фе...

Главная
Продукция
О Нас
Контакты

Пожалуйста, оставьте нам сообщение