Новости
Снижение затрат на 98%! Микролегированный композитный припой: новая технология корпусирования силовых полупроводников с производительностью, сравнимой с эффективностью спеченного серебра.
На фоне продолжающегося роста мирового потребления энергии силовые полупроводники третьего поколения, представленные SiC и GaN, стали ключевыми материалами для повышения эффективности преобразовани...
Институт полупроводников Китайской академии наук добился новых успехов в исследованиях высокоскоростных полупроводниковых лазеров с прямой модуляцией
В последние годы трафик данных в системах оптической связи малой дальности, таких как центры обработки данных и интеллектуальные вычислительные центры, пережил бурный рост. В этих системах широко и...
Команда Цзилиньского университета опубликовала последние результаты по легированию алмазов n-типом
Алмаз — не только самый твёрдый материал в природе, но и идеальный кандидат для создания мощных, высокотемпературных и высокочастотных электронных устройств нового поколения благодаря широкой запре...
Сунь Хайдин из Китайского университета науки и технологий: Создание эффективных систем искусственного зрения с использованием многофункциональных интегрированных оптоэлектронных синаптических устройств на основе нитрида галлия
В эпоху стремительного развития искусственного интеллекта технология распознавания действий человека становится важнейшим инструментом для систем видеонаблюдения, поиска видео, взаимодействия челов...
Институт микроэлектроники Китайской академии наук успешно разработал комплементарный монокристаллический кремниевый транзистор с вертикальным каналом (CVFET)
Согласно Международной дорожной карте для устройств и систем (IRDS2023), комплементарный полевой транзистор (CFET) — это следующее поколение транзисторной архитектуры в технологии интегральных схем...
Команда Лу Шулуна из Института нанонауки Сучжоу Китайской академии наук добилась успехов в создании монолитных интегральных устройств на основе GaN
Интеграция функций оптического зондирования и нейроморфных вычислений в устройствах на основе GaN является ключевым шагом к преодолению ограничений традиционных дискретных устройств. Это не только ...
