Институт микроэлектроники Китайской академии наук успешно разработал комплементарный монокристаллический кремниевый вертикально-канальный транзистор (CVFET).

Новости

Институт микроэлектроники Китайской академии наук успешно разработал комплементарный монокристаллический кремниевый вертикально-канальный транзистор (CVFET).

Институт микроэлектроники Китайской академии наук успешно разработал комплементарный монокристаллический кремниевый вертикально-канальный транзистор (CVFET).

Согласно Международной дорожной карте устройств и систем (IRDS2023), в области технологии интегральных схем комплементарные полевые транзисторы (CFET) представляют собой следующее поколение транзис...

Ученые Пекинского университета опубликовали статью в журнале Nature! Устранение основных препятствий на пути развития технологии 6G

Ученые Пекинского университета опубликовали статью в журнале Nature! Устранение основных препятствий на пути развития технологии 6G

27 августа в журнале Nature была опубликована исследовательская статья под названием «Сверхширокополосная фотоника на кристалле для полноспектральной беспроводной связи», написанная профессором Ван...

Шанхайский институт оптики и точной механики добился нового прогресса в исследовании алмазов, легированных бором

Шанхайский институт оптики и точной механики добился нового прогресса в исследовании алмазов, легированных бором

В последние годы электроды из легированного бором алмаза (BDD) широко используются в электрохимическом окислении, очистке сточных вод и производстве сенсоров благодаря широкому электрохимическому д...

Снижение затрат на 98%! Микролегированный композитный припой: новая технология корпусирования силовых полупроводников с производительностью, сравнимой с эффективностью спеченного серебра.

Снижение затрат на 98%! Микролегированный композитный припой: новая технология корпусирования силовых полупроводников с производительностью, сравнимой с эффективностью спеченного серебра.

На фоне продолжающегося роста мирового потребления энергии силовые полупроводники третьего поколения, представленные SiC и GaN, стали ключевыми материалами для повышения эффективности преобразовани...

Институт полупроводников Китайской академии наук добился новых успехов в исследованиях высокоскоростных полупроводниковых лазеров с прямой модуляцией

Институт полупроводников Китайской академии наук добился новых успехов в исследованиях высокоскоростных полупроводниковых лазеров с прямой модуляцией

В последние годы трафик данных в системах оптической связи малой дальности, таких как центры обработки данных и интеллектуальные вычислительные центры, пережил бурный рост. В этих системах широко и...

123456>>> 1 / 17
Главная
Продукция
О Нас
Контакты

Пожалуйста, оставьте нам сообщение