Менее чем через месяц после того, как Министерство промышленности и информационных технологий Китая включило его в список «первой партии ключевых пилотных платформ для выращивания», Научно-исследов...
Транзистор с высокой подвижностью электронов (HEMT) на основе нитрида галлия (GaN) стал сильным конкурентом для следующего поколения приложений силовых переключателей благодаря своим преимуществам,...
Большие модели предъявляют огромные требования к вычислительной мощности ИИ, а также создают беспрецедентные проблемы для традиционной архитектуры компьютеров, ориентированной на ЦП (ACC). Еще в фе...
По данным официального сайта Института микроэлектроники Китайской академии наук, поскольку плотность интегральных схем продолжает расти, технологические узлы транзисторов продолжают уменьшаться и п...
Краткий обзор основных моментов! Регистрация на форум «Цзюфэншань» и выставку Compound Semiconductor Industry Expo 2025 уже открыта! Весной апреля Optics Valley вновь станет центром мировой полупро...
7 марта в Международном выставочном центре Шэньчжэня состоялось торжественное открытие 10-й Международной выставки интеллектуальных дисплеев и системной интеграции (ISLE 2025)! Являясь одной из сам...