Новости
Институт микроэлектроники Китайской академии наук успешно разработал комплементарный монокристаллический кремниевый транзистор с вертикальным каналом (CVFET)
Согласно Международной дорожной карте для устройств и систем (IRDS2023), комплементарный полевой транзистор (CFET) — это следующее поколение транзисторной архитектуры в технологии интегральных схем...
Команда Лу Шулуна из Института нанонауки Сучжоу Китайской академии наук добилась успехов в создании монолитных интегральных устройств на основе GaN
Интеграция функций оптического зондирования и нейроморфных вычислений в устройствах на основе GaN является ключевым шагом к преодолению ограничений традиционных дискретных устройств. Это не только ...
Пекинский университет опубликовал на конференции IEEE ISPSD два важных технологических достижения в области широкозонных полупроводниковых силовых приборов.
Недавно в Кумамото, Япония, прошёл Международный симпозиум IEEE по силовым полупроводниковым приборам и ИС (ISPSD), ведущая конференция в области силовых полупроводниковых приборов. Для презентации...
Институт микроэлектроники Китайской академии наук добился нового прогресса в подавлении инфракрасного излучения от коллекторов EUV-литографии.
Технология литографии в экстремальном ультрафиолетовом диапазоне (EUVL) является ключевым техническим направлением для развития технологий производства полупроводников. Современная система источник...
Группа профессора Ван Синжаня из Нанкинского университета: новый прогресс в регулировании двумерного стекирования полупроводников на уровне пластины
9 июля 2025 года исследовательская группа профессора Ван Синжань из Нанкинского университета опубликовала в журнале Nature Materials онлайн-научную статью под названием «Гомоэпитаксиальный рост кру...
Wolfspeed представила новые MOSFET-транзисторы и диоды Шотки с верхним теплоотводом (TSC) из карбида кремния, которые оптимизируют тепловое управление и снижают энергопотребление.
Wolfspeed расширяет свою линейку ведущих в отрасли дискретных устройств MOSFET и диодов Шотки на основе карбида кремния (SiC), добавив серию U2 в корпусе с верхним охлаждением (TSC). Эта серия пред...
