2025-07-08
Wolfspeed расширяет свою линейку ведущих в отрасли дискретных устройств MOSFET и диодов Шотки на основе карбида кремния (SiC), добавив серию U2 в корпусе с верхним охлаждением (TSC). Эта серия предлагает различные варианты напряжения от 650 В до 1200 В, что позволяет значительно повысить плотность мощности и эффективность системы, одновременно оптимизируя тепловое управление и повышая гибкость компоновки печатной платы.
Области применения:
Бортовые зарядные устройства для электромобилей и инфраструктура быстрой зарядки
Приводы электромобилей и промышленных систем отопления, вентиляции и кондиционирования воздуха (HVAC)
Высоковольтные преобразователи постоянного тока в постоянный ток
Солнечные и энергохранительные системы
Приводы промышленных двигателей
Промышленные источники питания
Характеристики продукта:
Предлагаются варианты, соответствующие стандартам JEDEC и AEC-Q101
Низкий профиль, поверхностный монтаж
Верхнее охлаждение, низкое тепловое сопротивление (Rth)
Диапазон напряжений MOSFET из карбида кремния (SiC): от 750 В до 1200 В
Диапазон напряжений диодов Шотки из карбида кремния (SiC): от 650 В до 1200 В
Преимущества:
Наибольшее расстояние между точками замыкания в корпусе с верхним охлаждением (TSC) из карбида кремния (SiC)
Более высокая плотность мощности системы за счет оптимизации компоновки печатной платы
Конструкция для поверхностного монтажа, поддерживающая массовое производство
Новые особенности: преимущества нового корпуса с верхним охлаждением (TSC)
Большинство стандартных дискретных силовых полупроводниковых устройств для поверхностного монтажа отводят тепло посредством прямого контакта с печатной платой и используют радиаторы или охлаждающие пластины, установленные под печатной платой. Такой способ отвода тепла широко используется в различных областях силовой электроники, особенно в приложениях, где нет ограничений по пространству для установки печатной платы и весу радиатора.
В отличие от этого, устройства с верхним охлаждением (TSC) отводят тепло через верхнюю часть корпуса. Внутри корпуса с верхним охлаждением (TSC) чип размещен на верхнем слое корпуса в перевернутом положении, что позволяет теплому воздуху напрямую передаваться на верхнюю поверхность. Такие устройства особенно подходят для высокопроизводительных приложений, таких как автомобильные и электрические транспортные системы, где предъявляются строгие требования к высокой плотности мощности, передовым решениям по управлению тепловым режимом и миниатюрным корпусам. В этих приложениях устройства с верхним охлаждением (TSC) эффективно удовлетворяют потребности системы в охлаждении за счет максимального рассеивания мощности и оптимизации тепловых характеристик.
Конструкция TSC также позволяет использовать печатную плату с двух сторон, поскольку на нижней поверхности больше не требуется оставлять место для радиатора. Удаление радиатора из теплового контура не только значительно снижает общее тепловое сопротивление системы, но и поддерживает автоматизированный процесс сборки — это преимущество значительно повышает производительность и позволяет создавать более экономичные решения.
Оценочная платформа SpeedVal™ Kit: простое тестирование устройств с верхним охлаждением (TSC) U2
Модульная оценочная платформа Wolfspeed SpeedVal Kit предоставляет инженерам набор гибких модулей для оценки производительности системы в реальных рабочих условиях, что ускоряет переход от кремниевых устройств к устройствам на основе карбида кремния (SiC). Недавно выпущенная трехфазная оценочная материнская плата не только поддерживает тестирование статической нагрузки высокой мощности, но и служит базовой платформой для разработки передовой прошивки для управления двигателями.
В ближайшее время будут выпущены оценочные платы для MOSFET с верхним охлаждением (TSC) Wolfspeed с различными значениями сопротивления Rdson.