Академик Китайской академии наук Ян Дерен: текущая ситуация и проблемы промышленности полупроводниковых материалов – IFWS&SSLCHINA2024
2024-12-17
10-й Международный форум по полупроводникам третьего поколения и 21-й Китайский международный форум по полупроводниковому освещению (IFWS&SSLCHINA2024) недавно прошли в Сучжоу. Организаторами форума выступили Лаборатория Сучжоу, Стратегический альянс инновационных технологий полупроводниковой промышленности третьего поколения (CASA), Альянс научно-исследовательских и промышленных разработок в области полупроводниковой светотехники Чжунгуаньцунь (CSA), а также Национальный центр инновационных технологий полупроводников третьего поколения (Сучжоу) (NCTIAS), Цзянсуский научно-исследовательский институт полупроводников третьего поколения (JRITS) и Пекинский центр продвижения новых материалов Mackenbridge New Materials Productivity Centre Co.
На открытии конференции Ян Дерен, академик Китайской академии наук, президент Технологического института Нинбо Чжэцзянского университета, директор Национальной ключевой лаборатории кремния и передовых полупроводниковых материалов, профессор Чжэцзянского университета, выступил с основным докладом на тему «Текущая ситуация и вызовы индустрии полупроводниковых материалов».
В последние годы, благодаря 5G, искусственному интеллекту, бытовой электронике, автомобильной электронике и другим факторам спроса, размер мирового рынка полупроводниковых материалов демонстрирует колебания и общую тенденцию к росту. В целях содействия развитию полупроводниковой промышленности, трансформации традиционных отраслей и модернизации продукции, а также дальнейшего содействия устойчивому и здоровому развитию национальной экономики, Китай начал проводить ряд мер по поддержке развития полупроводниковой промышленности, и полупроводниковые материалы, как верхняя часть цепочки полупроводниковой промышленности, привлекли большое внимание. Академик Ян Дерен занимается исследованиями уже несколько десятилетий, и результаты его исследований в области легирования азотом, германием и фосфором с независимыми правами интеллектуальной собственности нашли практическое применение в китайских космических аппаратах, микроэлектронике, кремниевых кристаллах солнечной энергии и других областях, что поддерживает технологические потребности полупроводниковой промышленности Китая. В докладе подробно описывается состояние развития кремниевых полупроводников, комбинированных полупроводниковых материалов, широкополосных полупроводниковых материалов, полупроводниковых материалов и оборудования, а также анализируются проблемы и пути прорыва, с которыми в настоящее время сталкиваются китайские полупроводниковые материалы.
Отчет показывает, что высококлассные 4, 6-дюймовые полуизолированные подложки GaAs в основном зависят от импорта, составные полупроводниковые материалы InP, базовый уровень технологий для удовлетворения потребностей индустриализации, но мощности недостаточны. Широкополосные полупроводниковые материалы, высококлассные радиочастотные устройства с монокристаллической подложкой GaN имеют риск «шеи», массовая индустриализация 8-дюймовых монокристаллов SiC является будущим направлением. Полупроводниковые материалы и оборудование, 12-дюймовое кремниевое эпитаксиальное оборудование было произведено внутри страны.
В докладе отмечается, что отрасль полупроводниковых материалов характеризуется большими инвестициями в НИОКР и длительным циклом, высокой технической сложностью и высоким порогом, полной конкуренцией на мировом рынке и серьезной международной монополией головных предприятий. С точки зрения индустрии полупроводниковых материалов, она также сталкивается с такими проблемами, как уровень продукции находится на среднем и низком уровне, передовые и высокотехнологичные полупроводниковые материалы серьезно зависят от импорта, масштабы предприятий малы, рост полупроводниковых материалов, нехватка технологического оборудования, а тестовое оборудование для полупроводниковых материалов практически отсутствует. Эксперты отмечают, что, несмотря на очень быстрый прогресс в развитии технологий отрасли, расстояние еще не преодолено. В том числе нитрид широкого запрета поколения полупроводниковых материалов и устройств исследования по-прежнему сталкиваются с рядом ключевых научных и технологических вопросов, необходимо продолжать проводить глубокие, систематические исследовательские работы.
